10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長(zhǎng)徐秀蘭表現(xiàn)，公司戰(zhàn)勝了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推動(dòng)至 8 英寸，和國(guó)際大廠堅(jiān)持同步。

從報(bào)道中獲悉，徐秀蘭表現(xiàn)客戶都希望環(huán)球晶圓教書從 6 英寸到 8 英寸 SiC 量產(chǎn)的過渡，重要客戶來自汽車領(lǐng)域。

環(huán)球晶圓設(shè)計(jì)并開發(fā)了專門的碳化硅晶體生長(zhǎng)爐（Crystal Growth Furnace），加強(qiáng)了資料質(zhì)量節(jié)制并降低了晶體生長(zhǎng)成本。

SiC 的高硬度和脆性使得晶圓加工具有挑釁性，但環(huán)球晶圓采取更高的工藝精度和更高效的晶圓處置方式，從而實(shí)現(xiàn)超薄 SiC 晶圓加工。